特許
J-GLOBAL ID：200903083945019075
単結晶育成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098521
公開番号（公開出願番号）：特開平11-278980
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：
【要約】【課題】 光アイソレータなどの光通信デバイス用材料として用いることのできるセリウムを高濃度に置換した磁性ガーネット単結晶の育成方法を提供する。【解決手段】 本発明は、多結晶体を加熱溶融して融帯を形成し、該融帯に種結晶を接触させた後、該融帯を多結晶体側に移動させて単結晶を得る単結晶育成方法において、単結晶育成時における雰囲気中の酸素濃度が20体積%より低いことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
多結晶体を加熱溶融して融帯を形成し、該融帯に種結晶を接触させた後、該融帯を多結晶体側に移動させて単結晶を得る単結晶育成方法において、単結晶育成時における雰囲気中の酸素濃度が10体積%より低いことを特徴とする、単結晶育成方法。
IPC (3件)：
C30B 13/00
, C30B 29/28
, H01F 41/14
C30B 13/00
, C30B 29/28
, H01F 41/14
