面実装型半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100023
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294473
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】半田を用いてリード電極を形成する面実装型半導体装置において、リード電極の電界効果による電界集中により、耐圧低下,リーク電流の増大が生じる。【解決手段】リード電極22の電位が半導体表面の電界集中を起こさないよう、引出部以外のリード電極周辺部が半導体ペレットより小さくなる形状とし、引出部のリード電極と半導体ペレットの間隔ti としては、その間に介在する樹脂40と基板半導体およびリード電極で構成されるMIS構造のしきい値電圧が定格耐圧以上となるよう、広くした構造とする。【効果】阻止状態での電圧-電流特性がハードになり、高耐圧,低リーク電流、かつ高信頼の面実装型半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

一対の主表面を有し、第1導電型の半導体基板となる第1半導体領域の一方の主表面から基板と反対導電型の不純物を拡散して第2半導体領域が形成され、一方の主表面から所定の領域に第1半導体領域と第2半導体領域からなるpn接合が露出するようメサ型に溝が設けられ、このメサ部にガラス被膜が形成され、第1半導体領域の他方の主表面から第1半導体領域1より高不純物濃度で同導電型の不純物を拡散して第3半導体領域が形成される半導体基体において、第2半導体領域の露出面に第1電極が形成され、第3半導体領域の露出面に第2電極が形成され、第1電極に半田を介して第1リード電極が接続され、第2電極に半田を介して第2リード電極が接続され、一方の主表面から見た第1リード電極と半導体基体の重なる部分の面積が半導体基体の面積より小さいことを特徴とする面実装型半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-172662 出願人：ローム株式会社

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