特許

J-GLOBAL ID：200903083951494516

低誘電率膜の形成方法

発明者： 江口 勇司
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-112404
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302786
出願日： 2004年04月06日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】 簡単な工程で、吸湿性や絶縁特性に優れた低誘電率膜を形成できる低誘電率膜の形成方法を提供する。【解決手段】 少なくとも一つの有機基がケイ素原子に直接結合しており、他の有機基は酸素原子を介してケイ素原子に結合している、および/または窒素原子を介してケイ素原子に結合している有機シラン化合物を第1処理用ガスとして有機シラン化合物ガス供給源3から供給し、第2処理用ガスとしてH2OガスをH2Oガス供給源4から供給し、大気圧近傍の圧力下でのCVD法により、膜中に有機基を有する低誘電率の酸化ケイ素膜を被処理物である基板2の表面に形成する。必要に応じて第3処理用ガスとしてO2ガス供給源5からO2ガス等の酸素含有ガスを供給し、O2ガスを放電しているO2ガス導入部20に通して供給する。O2ガス導入部20は放電していなくてもよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1処理用ガスおよび該第1処理用ガスと反応する第2処理用ガスを供給し、大気圧近傍の圧力下での化学気相成長法により被処理物の表面に低誘電率膜を形成する方法であって、 前記第1処理用ガスは、少なくとも一つの有機基がケイ素原子に直接結合しており、他の有機基は酸素原子を介してケイ素原子に結合している、および/または窒素原子を介してケイ素原子に結合している有機シラン化合物であり、 前記形成される低誘電率膜は、膜中に有機基を有する酸化ケイ素膜であることを特徴とする低誘電率膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/90 K

Fターム (10件)：

5F033RR01 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS12 ,  5F033XX24 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF01 ,  5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 気相からの低誘電率多孔質シリカ膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-074442   出願人：科学技術振興事業団