表示基板及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-352206
公開番号（公開出願番号）：特開2007-183638
出願日： 2006年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】低抵抗金属配線の不良を防止することのできる表示基板及びこれの製造方法を提供する。【解決手段】第1方向に延長して形成される複数のゲート配線と、前記ゲート配線と交差する第2方向に延長し、モリブデンまたはモリブデン合金で形成された第1下部層とアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成された第1上部層とで構成される複数のソース配線と、前記ゲート配線とソース配線によって定義される複数の画素部と、各画素部に形成され、ゲート配線から延長したゲート電極とソース配線から延長したソース電極とを含むスイッチング素子と、透明導電物質で形成され、前記スイッチング素子のドレイン電極と電気的に接続される画素電極とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1方向に延長して形成される複数のゲート配線と、前記ゲート配線と交差する第2方向に延長し、モリブデンまたはモリブデン合金で形成された第1下部層とアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成された第1上部層とで構成される複数のソース配線と、前記ゲート配線とソース配線によって定義される複数の画素部と、各画素部に形成され、ゲート配線から延長したゲート電極とソース配線から延長したソース電極とを含むスイッチング素子と、透明導電物質で形成され、前記スイッチング素子のドレイン電極と電気的に接続される画素電極とを有することを特徴とする表示基板。

IPC (4件)：

G02F 1/136 , G09F 9/30 , G09F 9/00 , H01L 29/786

FI (7件)：

G02F1/1368 , G09F9/30 338 , G09F9/30 330Z , G09F9/00 338 , H01L29/78 612A , H01L29/78 617L , H01L29/78 616U

Fターム (52件)：

2H092GA11 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB51 , 2H092JB56 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA17 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092PA08 , 5C094AA21 , 5C094AA42 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094DA20 , 5C094DB04 , 5C094DB10 , 5C094EA04 , 5C094FB12 , 5C094GB10 , 5C094JA08 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110NN01 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5G435AA16 , 5G435AA17 , 5G435BB12 , 5G435KK05 , 5G435KK10

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタ液晶表示装置(TFTLCD)用基板のアルミニウム配線形成方法とこれにより製造されたTFTLCD基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-030524 出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
液晶表示装置および金属膜基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-389664 出願人：シャープ株式会社
表示素子用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-310229 出願人：エルジーフィリップスエルシーディーカンパニーリミテッド

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