CMOSイメ-ジセンサ-及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053234
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317512
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】低い電源電圧で完全空乏可能電圧を得ることができる低電圧フォトダイオードを持つCMOSイメージセンサーを提供する。【解決手段】本発明はイメージセンサー及びその製造方法に関し、例えば5V以下の低い電源電圧で完全空乏可能電圧を得ることができる低電圧フォトダイオード(Photo Diode)を持つCMOSイメージセンサーを提供しようとし、また現在成熟しているサブミクロン級CMOS工程を利用して上記低電圧フォトダイオードとMOSFETで構成されたCMOSイメージセンサーの単位画素を製造する方法を提供しようとするものである。合わせて、本発明は上記低電圧フォトダイオードで生成された光電荷をフローティング拡散領域に伝送する効率、すなわち電荷伝達効率を極大化するためのCMOSイメージセンサーの単位画素及びその製造方法を提供しようとする。

請求項（抜粋）：

イメージセンサーのフォトダイオードにおいて、フィールド領域と活性領域を持つ第1導電型半導体層と、上記半導体層内に形成されて自身のエッジの一部が上記フィールド領域のエッジから離隔された第2導電型の第1ドーピング領域と、上記第1ドーピング領域の上部と上記半導体層表面の下部に形成されて上記第1ドーピング領域よりも大きい幅を持つことにより自身の一部領域が上記半導体層上に形成された第1導電型の第2ドーピング領域とを含んで、駆動時上記半導体層と上記第2ドーピング領域とが互いに等電位を持つイメージセンサーのフォトダイオード。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 A , H01L 31/10 A

引用特許：

出願人引用 (12件)

ピン光ダイオード集積能動画素センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-088326 出願人：イーストマンコダックカンパニー
特開昭63-174358
特開平1-147861

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審査官引用 (18件)

特開昭59-198756
固体撮像装置および固体撮像装置応用システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-203817 出願人：株式会社東芝
固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-248362 出願人：株式会社東芝

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