特許

J-GLOBAL ID：200903084041241378

有機EL素子の製造方法

発明者： 鎌田 英樹
出願人/特許権者： トッキ株式会社
代理人 (2件)： 吉井 剛 ,  吉井 雅栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-335615
公開番号（公開出願番号）：特開2007-141710
出願日： 2005年11月21日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】極めて封止性に秀れた信頼性の高い有機EL素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に陽極,有機化合物層,陰極を順次積層して形成される発光部12上にこの発光部12を封止する第一封止膜13を成膜し、前記陽極若しくは前記陰極の端子部14上に積層された第一封止膜13の一部にレーザー光を照射して、この端子部14上の第一封止膜13を除去することで第一給電用開口部15を形成した後、前記第一封止膜13上に、前記発光部12を封止すると共に前記第一給電用開口部15をも隠蔽する第二封止膜16を成膜し、この第二封止膜16にレーザー光を照射して、前記第一給電用開口部15内に前記端子部14を露出せしめる第二給電用開口部17を形成するものである。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板上に陽極,有機化合物層,陰極を順次積層して形成される発光部上に、この発光部を封止する封止膜を形成して成る有機EL素子の製造方法であって、前記発光部上にこの発光部を封止する第一封止膜を成膜し、前記陽極若しくは前記陰極の端子部上に積層された第一封止膜の一部にレーザー光を照射して、この端子部上の第一封止膜を除去することで、前記第一封止膜から成る側周部とこの第一封止膜から露出する前記端子部から成る底部とで構成される第一給電用開口部を形成した後、前記第一封止膜上に、前記発光部を封止すると共に前記第一給電用開口部の側周部及び底部をも隠蔽する第二封止膜を成膜し、前記第一給電用開口部の底部を隠蔽する第二封止膜にレーザー光を照射して、前記第一給電用開口部の底部上に積層される前記第二封止膜を除去して前記端子部を露出させることで、前記第一給電用開口部内に前記端子部を露出せしめる第二給電用開口部を形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法。

IPC (4件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/06 ,  H01L 51/50

FI (4件)：

H05B33/10 ,  H05B33/04 ,  H05B33/06 ,  H05B33/14 A

Fターム (6件)：

3K007AB13 ,  3K007AB18 ,  3K007BB02 ,  3K007CC05 ,  3K007DB03 ,  3K007FA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機EL素子の製造装置並びに有機EL素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-346970   出願人：トッキ株式会社