特許
J-GLOBAL ID：200903084054076538
バイポーラトランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-229891
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097227
出願日： 1994年09月26日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】シリコンヘテロバイポーラトランジスタにおいて、ベース領域となるSiGe混晶層の抵抗を下げ、NF値を低減させる。【構成】コレクタ領域がエピタキシャル成長により形成された半導体基板1を使用し、エピタキシャル層の表面すなわちコレクタ領域の表面から深い方向に向かって半導体基板1にエッチングにより凹部を形成し、この凹部にSiGeからなるエピタキシャルベース層7を分子線エピタキシ法で成長させる。その後、ヒ素を含むポリシリコン層9をエミッタコンタクトホール中に形成し、熱拡散により、エピタキシャルベース層7内にエミッタ領域8を形成する。
請求項（抜粋）：
SiGeエピタキシャル層からなるベース領域を有するバイポーラトランジスタにおいて、不純物が導入されコレクタ領域となるエピタキシャル層の表面から深い部分に前記ベース領域が形成され、前記ベース領域内にエミッタ領域が設けられていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/203
, H01L 21/318
, H01L 29/205
