特許

J-GLOBAL ID：200903084056579227

抵抗素子を用いたデータ記憶素子及びその製造方法

発明者： 林 克彦
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (1件)： 村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-080074
公開番号（公開出願番号）：特開2003-281878
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 抵抗素子、とくに磁気抵抗効果素子からのデータの読み出しの安定化と、量産時に生じる磁気抵抗効果素子等の抵抗値のばらつきの問題を解消し、高性能で量産性のあるMRAM等を作製する。【解決手段】 データ読み出し用の少なくとも2本の制御導体のうちの1本となるビット線11はスッチング素子となるFET15のゲートに接続し、前記制御導体の他の1本となるワード線10は磁気抵抗効果素子13の一端に接続し、磁気抵抗効果素子13の他端がFET15のドレインに接続し、FET15のソースは固定抵抗素子17の一端に接続し、固定抵抗素子17の他端は接地された構成である。

請求項（抜粋）：

抵抗素子の電気的抵抗値変化を利用したデータ記憶素子であって、データ読み出し用の少なくとも2本の制御導体のうちの1本はスッチング素子となるトランジスタのゲート又はベースに接続し、前記制御導体の他の1本は前記抵抗素子の一端に接続し、前記抵抗素子の他端が前記トランジスタのドレイン又はコレクタに接続し、前記トランジスタのソース又はエミッタは固定抵抗の一端に接続し、前記固定抵抗の他端は接地又は特定の電位にされていることを特徴とする抵抗素子を用いたデータ記憶素子。

IPC (4件)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083LA03 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁性体メモリ及びその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-091977   出願人：キヤノン株式会社