半導体ウェーハの研磨方法および半導体ウェーハの研磨装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-162827
公開番号（公開出願番号）：特開2004-358638
出願日： 2003年06月06日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】高平坦度な半導体ウェーハが得られる半導体ウェーハの研磨方法および半導体ウェーハの研磨装置を提供する。【解決手段】研磨時、キャリアプレート16の厚さ方向の異なる位置での温度を、各熱伝対17A〜17Eにより測定する。よって、実際の研磨でのプレート16の温度を測定し、その温度データからプレート16の反り量を算出する。また、その温度データに基づき、反り量を小さくする研磨剤の供給量の制御、研磨定盤12の内部流路を流れる冷却水の温度の制御、研磨ヘッド13からシリコンウェーハWに対する研磨圧力を制御する。その結果、ウェーハWの研磨面内の研磨レートを均一化でき、研磨後のウェーハWの平坦度が高まる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定の厚さを有するウェーハ保持部材に保持された半導体ウェーハを研磨布に摺接させてこの半導体ウェーハを研磨する際、このウェーハ保持部材の厚さ方向での異なる深さ位置での温度を測定する半導体ウェーハの研磨方法であって、研磨中でのウェーハ保持部材の温度を、その異なる深さ位置に離間して埋設された複数の温度センサにより測定する半導体ウェーハの研磨方法。

IPC (5件)：

B24B37/00 , B24B37/04 , B24B49/14 , B24B57/00 , H01L21/304

FI (6件)：

B24B37/00 J , B24B37/00 B , B24B37/04 E , B24B49/14 , B24B57/00 , H01L21/304 622R

Fターム (18件)：

3C034AA19 , 3C034BB91 , 3C034CA19 , 3C034CB04 , 3C034CB18 , 3C034DD10 , 3C047FF08 , 3C047GG00 , 3C058AA07 , 3C058AA11 , 3C058AA12 , 3C058AC02 , 3C058AC04 , 3C058BA05 , 3C058BA08 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭60-201868
基板の平坦化方法および平坦化加工装置とそれを用いた半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-151432 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-274464

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