特許

J-GLOBAL ID：200903084086842887

薄膜トランジスタ基板、これを含む液晶表示装置及び薄膜トランジスタ基板の製造方法

発明者： 朴 鎔 漢 ,  全 珍
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-126558
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313906
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：

【課題】光漏れ電流を防止することができる薄膜トランジスタ基板、これを含む液晶表示装置及びこのような薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。【解決手段】光漏れ電流を効果的に最小化する薄膜トランジスタ基板、これを含む液晶表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法が提供される。薄膜トランジスタ基板は、ゲートラインとゲートラインと交差するデータラインを含んで、ゲートラインから絶縁基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に絶縁されて形成された半導体層と、ゲート電極と少なくとも一部分が重なってゲート電極の周囲に配置された光遮断膜と、データラインから形成されて半導体層と少なくとも一部分が重なるソース電極と、ゲート電極を中心にしてソース電極と対向して前記半導体層と少なくとも一部分が重なるドレイン電極を含むトランジスタ構造及びトランジスタ構造上に絶縁されてドレイン電極と電気的に接続された画素電極を含む。【選択図】図1C

請求項（抜粋）：

ゲートラインと前記ゲートラインと交差するデータラインを含んで、 前記ゲートラインから絶縁基板上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上に絶縁されて形成された半導体層と、 前記ゲート電極と少なくとも一部分が重なって前記ゲート電極の周囲に配置された光遮断膜と、 前記データラインから形成されて前記半導体層と少なくとも一部分が重なるソース電極と、 前記ゲート電極を中心にして前記ソース電極と対向して前記半導体層と少なくとも一部分が重なるドレイン電極とを含むトランジスタ構造と、 前記トランジスタ構造上に絶縁されて前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136

FI (3件)：

H01L29/78 619B ,  H01L29/78 612D ,  G02F1/1368

Fターム (54件)：

2H092GA11 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092KB01 ,  2H092MA17 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA08 ,  2H092PA13 ,  5F110AA06 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE25 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG26 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110HM05 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN35 ,  5F110NN44 ,  5F110NN48 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-051797   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-334207   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭64-052129
  
• 特開平4-049674