特許
J-GLOBAL ID：200903084088900914
シリコンの表面処理方法と半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-217495
公開番号（公開出願番号）：特開平11-060377
出願日： 1997年08月12日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：
【要約】【目的】シリコン結晶の表面Siの終端を再現性よく水酸基化させる。又、(100)面を平坦化させ、その面上の膜との接合特性等を良好にする。更に、面方位に依存して、水酸基及び水素基を選択的に形成する方法とその応用プロセスを提供する。【構成】ヘキサフルオロケイ酸溶液等のシリコン酸化膜を溶解する成分と水酸基を形成する成分とを含む溶液へシリコン結晶を浸漬する。(111)面と(110)面のSiは水酸基で終端化され、(100)面はダイハライドで終端化される。この手法を基本に、(100)面の平坦化やシリコン結晶のエッチング等を行なう。
請求項（抜粋）：
シリコン結晶の表面を酸化するか又は水素終端化する第一の工程と、該第一の工程後に、該シリコン結晶をヘキサフルオロケイ酸溶液へ浸漬して、該シリコン結晶の表面を水酸基で終端化する第二の工程とを含むことを特徴とするシリコンの表面処理方法。
IPC (5件)：
C30B 29/06
, C30B 33/06
, C30B 33/10
, H01L 21/02
, H01L 21/304 341
C30B 29/06 B
, C30B 33/06
, C30B 33/10
, H01L 21/02 D
, H01L 21/304 341 M
