半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-262010
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123859
出願日： 2006年09月27日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】支持基板上に半導体素子を設けた後に当該支持基板の薄膜化または除去を行う場合であっても、半導体素子の損傷を防ぎ且つ処理速度を向上させた半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板の一方の面上に複数の素子群を形成し、複数の素子群を覆うように絶縁膜を形成し、複数の素子群において隣り合う2つの素子群間の領域に位置する絶縁膜に選択的に開口部を形成して基板を露出させ、絶縁膜および開口部を覆うように第1のフィルムを形成し、基板を除去して素子群を露出させ、露出した素子群の表面を覆うように第2のフィルムを形成し、絶縁膜が露出しないように複数の素子群の間を切断する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の一方の面上に複数の素子群を形成し、前記複数の素子群を覆うように絶縁膜を形成し、前記複数の素子群において隣り合う2つの素子群間の領域に設けられた前記絶縁膜に開口部を選択的に形成して前記基板を露出させ、前記絶縁膜および前記開口部を覆うように第1のフィルムを設け、前記基板を除去して前記素子群を露出させ、前記露出した素子群の表面を覆うように第2のフィルムを設け、前記絶縁膜が露出しないように前記複数の素子群の間を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/56 , G06K 19/07 , G06K 19/077 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L27/12 B , H01L21/56 R , G06K19/00 H , G06K19/00 K , H01L29/78 627D , H01L29/78 619A

Fターム (90件)：

5B035AA04 , 5B035BA00 , 5B035BA03 , 5B035BA05 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5B035CA23 , 5F061AA01 , 5F061BA07 , 5F061CA22 , 5F061CB13 , 5F061FA03 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110AA28 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB09 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL08 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110PP24 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ22 , 5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (1件)

表示パネルの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-280363 出願人：ソニー株式会社

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