電力変換器の主回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098819
公開番号（公開出願番号）：特開平11-299239
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】スイッチング素子にモジュール形構造半導体素子を使用した電力変換器の主回路の配線インダクタンスを小さくする。【解決手段】モジュール形構造半導体素子としてのIGBT2,3を冷却体1に配列して固着し、IGBT2のエミッタ端子とIGBT3のコレクタ端子とを平板状導体4によって接続し、IGBT2のコレクタ端子からの平板状導体5とIGBT3のエミッタ端子からの平板状導体6とを平板状導体4に平行に近接して配置し、さらに平板状導体5,6とを平板状導体4とは直角方向にほぼ等しい長さで平行に近接して敷設することにより、この導体のインダクタンスを小さくする。

請求項（抜粋）：

スイッチング素子にモジュール形構造半導体素子を使用した電力変換器の主回路において、第1モジュール形構造半導体素子と第2モジュール形構造半導体素子とを、同一の取付面上に配列し、第1モジュール形構造半導体素子の主電極の一端と、第2モジュール形構造半導体素子の主電極の一端とを第1平板状導体によって接続し、第1モジュール形構造半導体素子の主電極の他端から外部に引き出される第2平板状導体と、第2モジュール形構造半導体素子の主電極の他端から外部に引き出される第3平板状導体とをそれぞれ第1平板状導体に平行に近接して配置し、さらに第2平板状導体と第3平板状導体とを、前記第1平板状導体とは直角方向にほぼ等しい長さで平行に近接して敷設し、前記第1平板状導体の他端を交流回路側とし、前記第2平板状導体の他端と、前記第3平板状導体の他端とをそれぞれ直流回路側としたことを特徴とする電力変換器の主回路。

IPC (3件)：

H02M 7/04 , H02M 1/00 , H02M 7/537

FI (3件)：

H02M 7/04 D , H02M 1/00 D , H02M 7/537 Z

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-093620 出願人：株式会社東芝
電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-188004 出願人：富士電機株式会社
特開平3-136412

審査官引用 (3件)

半導体電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-093620 出願人：株式会社東芝
電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-188004 出願人：富士電機株式会社
特開平3-136412

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