特許

J-GLOBAL ID：200903084116046410

回転電極を用いた薄膜形成方法

発明者： 平野 均 ,  堂本 洋一 ,  蔵本 慶一 ,  樽井 久樹 ,  森 勇藏
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  森 勇藏
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-360408
公開番号（公開出願番号）：特開平11-189879
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】 回転電極1を用いた薄膜形成方法において、より均一な膜厚の薄膜を形成する。【解決手段】 回転電極1として、電極の表面形状が基板3の表面形状に沿う形状の回転電極を用いることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

回転軸を中心にして回転することにより基板表面の近傍を移動しながら通過する電極表面を有する回転電極に、高周波電力または直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中で反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記回転電極として、電極表面の形状が基板表面の形状に沿う形状の回転電極を用いることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-201722   出願人：三洋電機株式会社, 森勇藏
• 特開平3-138370
  
• 成膜装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-089116   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-138370