III-V族化合物半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-320095
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168960
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】高電子移動度トランジスタ(HEMT)型III-V族化合物半導体装置に関し、SiドープのAlGaAs以外の材料(たとえばInGaP)を用いた電子供給層を採用し、高性能を発揮することのできるHEMT型III-V族化合物半導体装置を提供することを目的とする。【構成】本発明の高電子移動度トランジスタ型III-V族化合物半導体装置は、III-V族化合物半導体の基板と、前記基板上に配置され、III-V族化合物半導体で形成された電子走行層と、前記電子走行層よりも広いバンドギャップと小さい電子親和力を有するIII-V族化合物半導体で形成され、不純物をドープされた電子供給層と、前記電子走行層と電子供給層との間に配置され、前記電子供給層に対して格子不整合で歪を有するIII-V族化合物半導体のスペーサ層とを含む。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体の基板(1)と、前記基板(1)上に配置され、III-V族化合物半導体で形成された電子走行層(2)と、前記電子走行層よりも広いバンドギャップと小さい電子親和力を有するIII-V族化合物半導体で形成され、不純物をドープされた電子供給層(4)と、前記電子走行層と電子供給層との間に配置され、前記電子供給層(4)に対して格子不整合で歪を有するIII-V族化合物半導体のスペーサ層(3)とを含む高電子移動度トランジスタ型III-V族化合物半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-205471
化合物半導体装置およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-291680 出願人：ローム株式会社
特開平1-202871

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