特許
J-GLOBAL ID：200903084149422581

半導体装置及びその製造方法

発明者：
空田 晴之

空田 晴之 について

, 
高木 剛

高木 剛 について

, 
井上 彰

井上 彰 について

, 
川島 良男

川島 良男 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (6件)： 角田 嘉宏 ,  古川 安航 ,  西谷 俊男 ,  幅 慶司 ,  内山 泉 ,  是枝 洋介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-276999
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123604
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 ゲルマニウムが導入された高移動度チャネルを有するにもかかわらず低抵抗なシリサイド相の形成が可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板101と、半導体基板の上に形成されたゲート電極2と、半導体基板の平面視におけるゲート電極の両側に位置する部分に形成された一対のソース及びドレイン電極3と、ゲート電極との間にゲート絶縁膜106を挟むようにして該ゲート電極の下方に位置しかつ一対のソース及びドレイン電極の間に位置するように形成されたゲルマニウムを含むチャネル層105と、を備え、ソース及びドレイン電極の少なくとも一部を構成するシリサイド層111のゲルマニウム濃度がチャネル層のゲルマニウム濃度より低い。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の上に形成されたゲート電極と、 前記半導体基板の平面視における前記ゲート電極の両側に位置する部分に形成された一対のソース及びドレイン電極と、 前記ゲート電極との間にゲート絶縁膜を挟むようにして該ゲート電極の下方に位置しかつ前記一対のソース及びドレイン電極の間に位置するように形成されたチャネル層と、を備え、 前記チャネル層及び該チャネル層の直下層の少なくともいずれかがゲルマニウムを含み、 前記ソース及びドレイン電極の少なくとも一部を構成するシリサイド層のゲルマニウム濃度が前記チャネル層及び直下層のいずれかのゲルマニウム濃度より低い、半導体装置。
IPC (6件)：
H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78
FI (9件)：
H01L29/78 301P ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 301B ,  H01L27/08 321C ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321F ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/50 M
Fターム (103件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA07 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD24 ,  4M104DD28 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF14 ,  4M104FF26 ,  4M104FF27 ,  4M104FF32 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BD09 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA04 ,  5F048DA09 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DB01 ,  5F048DB06 ,  5F140AA10 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC10 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BC13 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE02 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG29 ,  5F140BG34 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH06 ,  5F140BH07 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK16 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK23 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-116865   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特許第2964925号公報

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