半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071563
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254652
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】素子動作特性に変動を与えることのない微細に分離された電極を備えた半導体装置を提供することを目的とする。【構成】本発明に係る半導体装置は、半導体基板表面に設けた溝を少なくとも上端面まで絶縁物で埋め込んで形成した素子分離領域5,6,16と、隣り合う前記素子分離領域間に自己整合的に形成された電極7とを備えたことを特徴とする。好ましくは、素子分離領域は選択的エッチングできる2種類の絶縁物を逐次堆積して形成しても良いし、1種類の絶縁物で形成しても良い。素子分離領域を溝の側壁部分に形成された第1の絶縁膜と溝の側壁部分以外を埋め込んだ第1の絶縁膜とは異なる絶縁物からなる第2の絶縁膜から構成し、溝の底部には第1の絶縁膜に対して自己整合的に形成した拡散層を設けても良い。また、電極が電荷蓄積層の場合、その側面に絶縁膜を介して制御ゲート電極を形成しても良い。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に設けた溝を少なくとも上端面まで絶縁物で埋め込んで形成した素子分離領域と、隣り合う前記素子分離領域間に自己整合的に形成された電極とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/762 , H01L 21/76 , H01L 27/10 301 , H01L 27/115

FI (4件)：

H01L 29/78 371 , H01L 21/76 D , H01L 21/76 L , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-208572
特開平3-220778
特開平4-335578

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