特許
J-GLOBAL ID:200903084178317479

エッチング方法(EtchingProcess)

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-537042
公開番号(公開出願番号):特表2004-512642
出願日: 2001年10月15日
公開日(公表日): 2004年04月22日
要約:
精細なターゲットエリアにおける材料中にパターンをエッチングするための方法であって、前記材料を溶解またはこれと化学的に反応するサブスタンスを前記材料上に選択的に堆積させる工程を含む方法が提供される。液滴は、インクジェットプリントヘッドのような、材料を一連の小滴として吐出し得るノズルを有するタイプのプリントヘッドから堆積される。好ましい用途においては、一連の隆起部40を、発光有機ポリマー6上にある有機絶縁体層からエッチングできる。次に、導電性層42が堆積され、有機絶縁体の隆起部40が溶媒洗浄により除去されて導電性ストリップの配列が設けられ、該配列はエレクトロルミネセンス表示デバイス用陰極として用い得る。プリントヘッドは、有機ポリマーの一連の隆起部をエッチングにより設けるためにも使用できる。次に、透明な導電性ポリマーが隆起部間に堆積される。次に、隆起部は溶媒洗浄により溶解されて導電性ポリマーのストリップの配列が設けられ、該配列は表示デバイス中の陽極として用い得る。組み合わせることにより、陽極と陰極の両方を、フォトリソグラフィを必要とせずに表示デバイス用に製造することができ、このことは広いエリアの表示デバイスの製造にとってとりわけ有利である。【選択図】図10
請求項(抜粋):
精細なターゲットエリアにおける材料のエッチング方法であって、前記材料を溶解またはこれと化学的に反応するサブスタンス(substance)を前記材料上に選択的に堆積させる工程を含む、前記方法。
IPC (5件):
H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (5件):
H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 E ,  H05B33/14 B ,  H05B33/22 Z
Fターム (3件):
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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