特許

J-GLOBAL ID：200903084182826981

半導体装置の配線形成方法

発明者： 井上 智利 ,  冨田 健一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-256849
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102143
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【構成】 GaAsICなどで必要となる配線の低抵抗化のために配線の増し積みにおいてLPDを用いる。【効果】 マスク合せの誤差を解決する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の配線形成において、第1の配線を形成した後に該第1の配線上にさらに金属層を形成する配線において、第1の配線を形成した後にSiO2 を液相成長法により第1の配線層より厚く形成する工程と該SiO2 をマスクとして第1の配線上に渡金により金属を成長させる工程を少なくとも含む半導体装置の配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/288 ,  C23C 18/42

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-290249
  
• 多層配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-188516   出願人：日本電気株式会社