特許
J-GLOBAL ID：200903084198753119
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049321
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263546
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 深さの異なる高アスペクト比のコンタクトホールを安定して開口する方法、及び安定な電気特性が得られる電極形成方法を提供する。【構成】 導電領域103が形成された半導体基板101上に、層間絶縁膜104を堆積させる。そして、層間絶縁膜上に窒化チタン105を堆積させる。窒化チタン上にフォトレジスト106を形成し、パターニングを行う。パターニングされたフォトレジストをマスクとして窒化チタン及び層間絶縁膜をエッチングして、コンタクトホール107を形成する。フォトレジスト除去後、基板をヘキサメチルジシラザンに暴露させる。その後、気相化学成長法によりタングステン108を形成する。
請求項（抜粋）：
導電領域が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を堆積させる工程と、前記層間絶縁膜上に金属膜を堆積させる工程と、前記金属膜上にエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記導電領域に達するコンタクトホールを開口する工程と、前記半導体基板をヘキサメチルジシラザンに暴露する工程と、基板全面にタングステンを堆積させる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/285 301
