オプトエレクトロニクスデバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-541068
公開番号（公開出願番号）：特表2005-507178
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

ケーシングボディ(2)と、特にケーシングボディの凹所(6)内に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップ(3)と、電気的端子(1A,1B)とを備え、前記の半導体チップはリードフレームの電気的端子と導電性に結合しているオプトエレクトロニクスデバイス、特に表面実装可能なオプトエレクトロニクスデバイス。ケーシングボディ(2)は、充填剤を有するジャケット材料、特にプラスチック材料から形成されていて、この充填剤は約500nmを下回る波長領域において高い反射率を有する。

請求項（抜粋）：

ジャケット材料、特にプラスチック材料から製造されたケーシングボディ(2)と、前記のケーシングボディ(2)に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップ(3)と、前記の半導体チップ(3)と導電性に接続されている電気的端子(1A,1B)とを備えたオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記のジャケット材料が充填剤を含有し、この充填剤は300nm〜500nmの間の波長領域からなる電磁放射線に対して、0.5以上の、特に0.7以上の反射率を示すことを特徴とする、オプトエレクトロニクスデバイス。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (3件)：

H01L33/00 N , H01L33/00 C , H01L33/00 M

Fターム (8件)：

5F041AA03 , 5F041AA12 , 5F041CA40 , 5F041DA36 , 5F041DA43 , 5F041DA47 , 5F041DA58 , 5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体発光装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-005109 出願人：株式会社東芝
特開昭54-069067
特開昭54-069067

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