半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-064869
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227239
出願日： 2007年03月14日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】半導体装置のダイナミック特性を改善すること。【解決手段】半導体装置10は、MOSFETが作り込まれている中心領域と、その中心領域の周囲に設けられている終端領域を備えている。中心領域は、中心領域の表面に設けられているボディ領域27と、そのボディ領域27内に設けられているコンタクト領域26と、そのコンタクト領域26に電気的に接続されているソース電極36と、最も終端領域側に配置されているコンタクト領域26と終端領域の間に設けられている絶縁体領域28を備えている。絶縁体領域28は、コンタクト領域26の側面に接している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置であって、回路素子が作り込まれている中心領域と、その中心領域の周囲に設けられている終端領域を備えており、中心領域は、中心領域の表面に設けられている半導体領域と、その半導体領域内に設けられており、前記半導体領域と同一導電型の不純物を前記半導体領域よりも高濃度に含んでいるコンタクト領域と、そのコンタクト領域に電気的に接続されている表面電極と、最も終端領域側に配置されているコンタクト領域と終端領域の間に設けられており、前記コンタクト領域の側面に接している絶縁体領域とを有している半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 29/12

FI (4件)：

H01L29/78 652F , H01L29/78 652P , H01L29/78 652T , H01L29/06 301G

引用特許：

出願人引用 (2件)

高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-055030 出願人：株式会社東芝
特開平3-94469

前のページに戻る