半導体素子のトランジスター及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中川周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-152113
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008308
出願日： 1996年06月13日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体素子の動作速度を向上させることができる半導体素子のトランジスター及びその製造方法を提供することに目的がある。【解決手段】 SOI層が厚く形成されたウエハーを使用して接合領域をチャネル及びLDDより厚く形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子において、シリコン基板上の絶縁層上部の所定領域に形成されたトレンチ構造を有するSOI層と、前記トレンチ構造の下部に形成されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上部の中央領域に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側壁に形成された酸化膜スペーサと、前記酸化膜スペーサ下部の前記SOI層に形成され、低濃度不純物イオンが注入されたLDD領域と、前記LDD領域外側部の前記SOI層に形成され、高濃度不純物イオンが注入された接合領域から成ることを特徴とする半導体素子のトランジスター。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-024735
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-057640 出願人：シャープ株式会社

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