特許
J-GLOBAL ID：200903084277168663

水素化ホウ素クラスターイオンの注入によるイオン注入装置及び半導体製造方法

発明者：
ホースキー トーマス エヌ

ホースキー トーマス エヌ について

, 
ジャコブソン デイル シー

ジャコブソン デイル シー について


出願人/特許権者：
セムエキップ インコーポレイテッド

セムエキップ インコーポレイテッド について


代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-517893
公開番号（公開出願番号）：特表2006-515711
出願日： 2003年06月26日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【課題】 イオン化水素化ホウ素分子から形成されたイオンビームの注入によってP型ドーピングが達成される半導体製造法を提供する。【解決手段】 イオン化された水素化ホウ素分子クラスターがP型トランジスタ構造を形成するために注入される、イオン注入装置及び半導体素子を製造する方法。例えば、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)素子の製造において、このクラスターは、ソース及びドレーン構造及びポリゲートに対してP型ドーピングを提供するために注入され、これらのドーピング段階は、PMOSトランジスタの形成に極めて重要である。分子クラスターイオンは、化学形態BnHx+及びBnHx-を有し、ここで、10<n<100及び0≦x≦n+4である。
請求項（抜粋）：
(a)水素化ホウ素BnHm(式中、n及びmは整数、かつ、n>10及びm≧0である。)のある一定容積の気相分子を生成する段階と、 (b)前記水素化ホウ素分子をイオン化し、イオン化された水素化ホウ素分子を形成する段階と、 (c)前記イオン化された水素化ホウ素分子を電界によってターゲット内に加速する段階と、 を含むことを特徴とする、イオンを注入する方法。
IPC (5件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (3件)：
H01L21/265 603A ,  H01L29/78 301L ,  H01L27/08 321E
Fターム (29件)：
5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA13 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG42 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK12 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF07
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許仮出願出願番号第60/463,965号
  • 米国特許出願出願番号第10/183,768号
  • PCT出願US01/18822
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審査官引用 (2件)

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