特許

J-GLOBAL ID：200903076175778820

イオン注入方法および半導体装置の製造方法

発明者： 後藤 賢一 ,  加勢 正隆 ,  松尾 二郎 ,  山田 公 ,  竹内 大輔 ,  豊田 紀章 ,  島田 規広
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-323065
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163123
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 IV族半導体にボロンを浅くイオン注入する方法に関し、IV族半導体基板に浅いp型不純物ドープ領域を容易に作成することができる半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体装置を製造する方法は、デカボランをイオン化する工程と、次いで、イオン化したデカボランを、少なくとも表面にn型シリコン領域を含むシリコンウエハに注入する工程と、次いで、活性化アニールを行いpn接合を形成する工程とを含む。固体デカボランは、減圧雰囲気または加熱によって気化することができる。一個のデカボラン分子は10個のボロン原子を供給し、ボロン原子1個当たりの加速エネルギをデカボラン分子の加速エネルギの約1/10に低減することができる。

請求項（抜粋）：

固体のデカボラン(B10H14)を気化させる工程と、気体状のデカボラン分子をイオン化させる工程と、デカボランのイオンを電界で加速してターゲットに注入する工程とを含むイオン注入方法。

FI (3件)：

H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-225117
  
• pチャネルMOSFETの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-206002   出願人：沖電気工業株式会社