特許

J-GLOBAL ID：200903084277734715

パワー回路基板

発明者： 佐々木 康二 ,  斉藤 直人 ,  阪東 明 ,  平井 強 ,  川瀬 大助 ,  飛山 芳郎 ,  鈴木 和弘 ,  鴨志田 陸男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181073
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015681
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】小型で高出力かつ熱放散性の良いパワー半導体モジュールを、低い製造コスト及び短い製造時間で提供する。【解決手段】金属など熱伝導率の高い材料の放熱板と、前記放熱板と樹脂絶縁層を介して接合された良導体のパワー回路パターン及び信号回路用の有機プリント回路基板を備えたパワー回路基板と、前記パワー回路パターン及び前記有機プリント回路基板を前記樹脂絶縁層により前記放熱板に固定し、且つ、前記パワー回路パターンと前記有機プリント回路基板の上面の平面度を0.1mm以内とする。また、前記パワー回路基板において、前記パワー回路パターンの厚さを0.7mm以上とする。

請求項（抜粋）：

金属など熱伝導率の高い材料からなる放熱板と、前記放熱板と樹脂絶縁層を介して接合された良導体のパワー回路パターン及び信号回路用の有機プリント回路基板からなるパワー回路基板において、前記パワー回路パターン及び前記有機プリント回路基板は、前記樹脂絶縁層を介して前記放熱板に接合されており、且つ、前記パワー回路パターンと前記有機プリント回路基板の上面の平面度が0.1mm以内であることを特徴とするパワー回路基板。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体パワーモジュールおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-150535   出願人：三菱電機株式会社
• 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-336464   出願人：松下電子工業株式会社, 松下電器産業株式会社
• 半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-042422   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-318550   出願人：株式会社東芝