特許

J-GLOBAL ID：200903084321004380

トランジスタ、表示装置、トランジスタの製造方法、および、表示装置の製造方法

発明者： 水崎 真伸 ,  山原 基裕
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-275371
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039086
出願日： 2003年07月16日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】 電気特性が高く、製造コストの低いトランジスタおよびその製造方法、ならびに上記トランジスタを用いた表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のトランジスタ10は、第1電極4と、第2電極5と、第1電極4と第2電極5との間に設けられた有機層6と、有機層6に電界を印加するための第3電極2とを備え、有機層6は、主鎖と、デンドリマーを含む側鎖とを有する高分子を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた有機層と、前記有機層に電界を印加するための第3電極とを備えるトランジスタであって 前記有機層は、主鎖と、デンドリマーを含む側鎖とを有する高分子を含む、トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L29/786 ,  C08F20/54 ,  C08G61/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  C08F20/54 ,  C08G61/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28

Fターム (51件)：

2H092JA24 ,  2H092KA09 ,  2H092MA12 ,  2H092NA25 ,  2H092NA26 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  4J032BA04 ,  4J032BB01 ,  4J032BB06 ,  4J032BC01 ,  4J032CG01 ,  4J032CG03 ,  4J100AM23P ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100DA55 ,  4J100JA24 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 導電性有機材料配向膜の製造方法及び導電性有機材料配向膜を用いた有機電子素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-241078   出願人：松下電器産業株式会社
• 三端子素子の分子トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-172353   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (1件)

• 三端子素子の分子トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-172353   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所