特許

J-GLOBAL ID：200903084322257753

化合物半導体素子およびその製造方法

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-223279
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058451
出願日： 1998年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 Si単結晶等の立方晶基板上に、結晶系が六方晶系に統制されたIII族窒化物半導体結晶層からなる積層構造体を構築し、発光強度等の特性に優れたLED等の化合物半導体素子を得る。【解決手段】 Si単結晶基板上に、非晶質を主体とするリン化硼素系材料からなる低温緩衝層と、リン化硼素多量体(BαPβ:6≦α≦13、β=1またはβ=2)の割合を95.0重量%以上99.8重量%未満とし、リン化硼素単量体(組成式:BP)の割合を0.2重量%以上5.0重量%未満とするリン化硼素系結晶からなる緩衝層と、六方晶を主体としてなるIII 族窒化物半導体結晶層とを形成した積層構造体から化合物半導体素子を構成する。

請求項（抜粋）：

珪素(元素記号:Si)からなる立方晶の単結晶基板と、該単結晶基板上に形成された非晶質を主体とするリン化硼素系材料からなる低温緩衝層と、該低温緩衝層上に形成された、リン化硼素多量体(BαPβ:6≦α≦13、β=1またはβ=2)の割合を95.0重量%以上99.8重量%未満とし、リン化硼素単量体(組成式:BP)の割合を0.2重量%以上5.0重量%未満とするリン化硼素系結晶からなる緩衝層と、前記単結晶基板上に前記の低温緩衝層及び緩衝層を介して積層された、六方晶を主体としてなるIII 族窒化物半導体結晶層とを具備する積層構造体から構成される化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (22件)：

5F041CA21 ,  5F041CA25 ,  5F041CA33 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AD07 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F052CA01 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052GC03 ,  5F052JA10 ,  5F052KA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• III族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-154116   出願人：寺嶋一高
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-062812   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-275682
  

審査官引用 (3件)

• III族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-154116   出願人：寺嶋一高
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-062812   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-275682