特許
J-GLOBAL ID：200903084328660924
半導体レ-ザ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189217
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026885
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 活性層の利得領域と導波路領域とが一致するようにした構造の半導体レ-ザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板2上に順次積層されたAlGaInPクラッド層3、GaInP活性層4、AlGaInPクラッド層5、AlGaInPエッチングストップ層6と、このエッチングストップ層6上にストライプ状開口部15を有した電流狭窄層7と、開口部15にAlGaInPクラッド層8、GaInPキャップ層9を順次積層して形成されたリッジストライプ構造10と、リッジストライプ構造10及び電流狭窄層7上に形成されたGaAsコンタクト層とを備え、リッジストライプ構造10のGaAsコンタクト層側11の上端幅d1をAlGaInPエッチングストップ層6側の下端幅d2よりも広くした。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に順次積層された第1導電型のAlGaInPクラッド層と、GaInP活性層と、第1の第2導電型AlGaInPクラッド層と、第2導電型AlGaInPエッチングストップ層と、前記第2導電型AlGaInPエッチングストップ層上にストライプ状開口部を有した第1導電型電流狭窄層と、前記ストライプ状開口部に第2の第2導電型AlGaInPクラッド層、前記第2導電型GaInPキャップ層を順次積層して形成されたリッジストライプ構造と、更に、前記リッジストライプ構造及び前記第1導電型電流狭窄層上に形成された第2導電型GaAsコンタクト層とを備えた半導体レ-ザ装置において、前記リッジストライプ構造の前記第2導電型GaAsコンタクト層側の積層方向の上端幅が前記第2導電型AlGaInPエッチングストップ層側の積層方向の下端幅よりも広いことを特徴とする半導体レ-ザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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