特許

J-GLOBAL ID：200903084387251540

半導体製造装置

発明者： 清水 宏修 ,  稲泉 吉洋 ,  柿崎 智 ,  若林 勲
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-094822
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285926
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】 処理後のボート、ウェーハと昇降駆動部間の熱遮蔽性を向上させ、ウェーハの処理品質、歩留りの向上を図る。 【解決手段】 処理炉6と、基板16を保持する基板保持具15と、該基板保持具が設けられる蓋体14と、アーム11を介して前記蓋体に接続され前記基板保持具を前記処理炉に出入れする駆動部9と、該駆動部の基板保持具側に設けられ駆動部への輻射熱を遮断する熱遮蔽板49とを具備し、前記アームは前記熱遮蔽板を迂回して前記蓋体に接続された。 【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

処理炉と、基板を保持する基板保持具と、該基板保持具が設けられる蓋体と、アームを介して前記蓋体に接続され前記基板保持具を前記処理炉に出入れする駆動部と、該駆動部の基板保持具側に設けられ駆動部への輻射熱を遮断する熱遮蔽板とを具備し、前記アームは前記熱遮蔽板を迂回して前記蓋体に接続されたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L21/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

FI (4件)：

H01L21/22 501F ,  H01L21/22 511Q ,  H01L21/31 E ,  H01L21/324 Q

Fターム (6件)：

5F045AA20 ,  5F045AB31 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EM01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 縦型熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-359753   出願人：東京エレクトロン株式会社