特許

J-GLOBAL ID：200903084408745866

炭化珪素膜及びその製造方法

発明者： 中野 順太 ,  長澤 弘幸 ,  八木 邦明 ,  河原 孝光
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288844
公開番号（公開出願番号）：特開2000-178740
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2000年06月27日
要約：

【要約】【課題】 反位相領域境界面を効果的に低減又は消滅させた炭化珪素膜等を提供する。【解決手段】 単結晶基板表面上にその結晶方位を引き継いで炭化珪素をエピタキシャル成長させる炭化珪素膜の製造方法において、前記基板表面の全部又は一部に1方向に平行に伸びる複数の起伏を具備させ、この基板表面上に炭化珪素を成長させる。

請求項（抜粋）：

単結晶基板表面上にその結晶方位を引き継いで炭化珪素をエピタキシャル成長させる炭化珪素膜の製造方法であって、前記基板表面の全部又は一部に1方向に平行に伸びる複数の起伏を具備させ、この基板表面上に炭化珪素を成長させることを特徴とする炭化珪素膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 16/32 ,  C30B 29/36

FI (2件)：

C23C 16/32 ,  C30B 29/36 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-214099
  
• 炭化珪素薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-237488   出願人：松下電器産業株式会社