プラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、並びにプラズマ成膜装置に用いられる記憶媒体

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-276202
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135303
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】プラズマを用いてフッ素添加カーボン膜を成膜にするにあたり、原料ガスを分解してC4F6やC4F5を多く含む成膜種を得ることにより、リーク特性や熱的安定性に優れた特性を有するフッ素添加カーボン膜を成膜すること。【解決手段】気密な処理雰囲気内に載置された基板に対し、ラジアルラインスロットアンテナにマイクロ波を導くことによりプラズマを発生させる。処理雰囲気の圧力が7.32Pa以上8.65Pa以下、マイクロ波電力が2000W以上2300W以下、基板表面と原料ガス供給口との距離が70mm以上105mm以下、基板と第1のガス供給部との距離が100mm以上140mm以下の条件で、例えば環状C5F8ガスよりなる原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化させると、C4F6イオン又はラジカルを多く含む成膜種が得られ、これによりフッ素添加カーボン膜を成膜する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭素とフッ素よりなり、三重結合を1つ若しくは二重結合を1つ以上若しくは共役二重結合を持つ原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化させてC4F6又はC4F5を生成させ、これらを含む成膜種によりフッ素添加カーボン膜を成膜するプラズマ成膜方法において、原料ガスを活性化する前の原料ガスの濃度をAとし、原料ガスを活性化したときの原料ガスの濃度をBとしたときに、0.05≦B/A≦0.5となるように、原料ガスを活性化したときに得られる成膜種によりフッ素添加カーボン膜を成膜することを特徴とするプラズマ成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/314 , C23C 16/26 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , C23C 16/511

FI (5件)：

H01L21/314 A , C23C16/26 , H01L21/90 K , H01L21/90 P , C23C16/511

Fターム (29件)：

4K030AA04 , 4K030AA16 , 4K030BA27 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030JA02 , 4K030JA09 , 4K030JA16 , 4K030KA30 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F033RR11 , 5F033SS15 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC05 , 5F058AD06 , 5F058AF02 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BD18 , 5F058BF08 , 5F058BF26 , 5F058BF36 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

プラズマ成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-343998 出願人：東京エレクトロン株式会社

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