特許
J-GLOBAL ID：200903084443302632
オキシ窒化ジルコニウム及び/又はハフニウム・ゲ-ト誘電体
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-200829
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058832
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 ゲート誘電体の厚さの問題を考慮した電界効果デバイス。【解決手段】 高誘電率オキシ窒化ジルコニウム(又はハフニウム)・ゲート誘電体を有する電界効果半導体デバイス及びその形成方法を開示する。このデバイスは、その中に形成される半導電チャネル領域24を有するシリコン基板20を含む。この基板の上にオキシ窒化ジルコニウム・ゲート誘電体層36が形成され、その後導電ゲート38が続く。オキシ窒化ジルコニウム・ゲート誘電体層36は、二酸化シリコンの比誘電率より著しく高い比誘電率を有する。
請求項（抜粋）：
集積回路上に電界効果デバイスを製造する方法であって、単結晶シリコン基板を提供し、基板の上にオキシ窒化金属ゲート誘電体層を形成し、この金属は、ハフニウム、ジルコニウム、及びそれらの混合物の群から選択され、ゲート誘電体層に重なる導電ゲートを形成することを含む方法。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 21/318
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/318 C
, H01L 29/78 371
