特許

J-GLOBAL ID：200903084459669790

基板処理装置

発明者： 上川 裕二 ,  北原 重徳 ,  上野 欽也
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 萩原 康司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354785
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176833
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 小型化で,しかも処理後に外気接触を防止することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】 ウェハWを処理する処理装置1は,ウェハWを収納する第1の処理室2と,第2の処理室4と,第1の処理室2と第2の処理室4との間でウェハWを昇降移動させるウェハガイド6と,第1の処理室2と第2の処理室4との間を開閉するシャッタ7と,水蒸気を供給する水蒸気供給手段8と,オゾンガスを供給するオゾンガス供給手段9と,IPAを供給するIPA供給手段10と,純水を供給する純水供給手段11と,純水を排液する排液手段12とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板を処理する装置であって,基板を収納する第1の処理室と,前記第1の処理室に隣接配置された,基板を収納する第2の処理室と,前記第1の処理室と前記第2の処理室との間で基板を移動させる移動手段と,前記第1の処理室内に溶媒の蒸気を供給する溶媒蒸気供給手段と,前記第1の処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と,前記第1の処理室内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段と,前記第2の処理室内に処理液を供給する処理液供給手段とを備えていることを特徴とする,基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 651 ,  H01L 21/304

FI (5件)：

H01L 21/304 648 B ,  H01L 21/304 642 A ,  H01L 21/304 645 Z ,  H01L 21/304 651 G ,  H01L 21/304 651 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ウエハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-001061   出願人：ソニー株式会社
• 洗浄装置及び洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-011553   出願人：東京エレクトロン株式会社