特許
J-GLOBAL ID:200903084466664213

表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): ポレール特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-229895
公開番号(公開出願番号):特開2009-064612
出願日: 2007年09月05日
公開日(公表日): 2009年03月26日
要約:
【課題】工程数が少なく、色純度の良い、かつ製造歩留りのよいトップエミッション型有機EL表示装置を実現する。【解決手段】下部電極13の上には5nm〜20nmの透明導電膜14が形成されている。透明導電膜14と上部電極19の間には有機EL層15がサンドイッチされている。透明導電膜14はITOで形成され、スパッタリング条件を制御することによってITOの抵抗率を1〜105Ω・cmの値に制御する。このように制御されたITO膜の電気抵抗は、膜厚方向には有機EL層15に電圧を供給するのに十分抵抗が低く、膜の平面方向には絶縁状態と同様な高い抵抗とすることが出来る。したがって、ITOを基板の全面に被着しても必要な特性を維持することが出来る。本発明によって下部電極13上のITOのパタニング工程を無くすことが出来る。【選択図】図2
請求項(抜粋):
下部電極、有機EL層、上部電極を有する画素がマトリクス状に形成されて表示部が構成され前記下部電極間を画素毎に絶縁膜で分離する絶縁膜(←画素分離膜の規定によりAMOLEDに限定している)と、前記表示部の外側に形成された端子とを備えた有機EL表示装置であって、 前記下部電極と前記有機EL層の間に透明導電膜を有し、 前記透明導電膜は、第1の下部電極と前記第1の下部電極に隣接する第2の前記下部電極との間であって、前記絶縁膜の上にも連続して形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。
IPC (8件):
H05B 33/28 ,  G09F 9/30 ,  H01L 27/32 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/06 ,  H05B 33/26
FI (7件):
H05B33/28 ,  G09F9/30 365Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/12 B ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/06 ,  H05B33/26 Z
Fターム (22件):
3K107AA01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC25 ,  3K107DD03 ,  3K107DD22 ,  3K107DD23 ,  3K107DD24 ,  3K107DD27 ,  3K107DD38 ,  3K107DD44X ,  3K107DD46Z ,  3K107DD89 ,  3K107EE03 ,  3K107FF04 ,  3K107FF15 ,  5C094AA08 ,  5C094BA29 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094FB12 ,  5C094JA05
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 発光装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-241318   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 有機発光表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-124405   出願人:株式会社日立ディスプレイズ
  • 有機EL表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2007-188977   出願人:株式会社日立ディスプレイズ

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