特許

J-GLOBAL ID：200903084471192532

熱電変換モジュールおよび熱電変換装置

発明者： 常岡 治 ,  近藤 成仁 ,  原 昭浩 ,  舘山 和樹 ,  十河 敬寛 ,  斎藤 康人 ,  荒川 雅之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 波多野 久 ,  関口 俊三 ,  猿渡 章雄 ,  古川 潤一 ,  河村 修 ,  山田 毅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-290191
公開番号（公開出願番号）：特開2008-108900
出願日： 2006年10月25日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：

【課題】低コストで、省スペース性に優れ、設置面積当たりの発電量が大きい熱電変換モジュールおよび熱電変換装置を提供すること。【解決手段】本発明に係る熱電変換モジュール1は、高温側電極22と低温側電極24と高温側電極22および低温側電極24の間に介装されるn型熱電変換半導体層21およびp型熱電変換半導体層23とが熱電変換部構成要素20を構成し、この熱電変換部構成要素20が1個または電気的に接続された複数個からなる熱電変換部10と、所定のときに熱電変換部10から電流を取り出す第1の外部電極41と、所定のときに熱電変換部10に電流を供給する第2の外部電極42と、を備え、第1の外部電極41および第2の外部電極42は、熱電変換部10を挟んで反対側に設けられるとともに、第1の外部電極41および第2の外部電極42の中心線同士が略一致するように設けられる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

高温側電極と、この高温側電極に対し水平方向にずらして対向配置される低温側電極と、前記高温側電極および前記低温側電極の間に介装されるn型熱電変換半導体層およびp型熱電変換半導体層とが、第1の低温側電極、前記n型熱電変換半導体層、前記高温側電極、前記p型熱電変換半導体層および第2の低温側電極の順番に電気的に直列接続されて熱電変換部構成要素を構成し、この熱電変換部構成要素が1個または電気的に接続された複数個からなる熱電変換部と、 前記高温側電極が前記低温側電極よりも高温であるときに前記熱電変換部から電流を取り出す第1の外部電極と、 前記高温側電極が前記低温側電極よりも高温であるときに前記熱電変換部に電流を供給する第2の外部電極と、 を備え、 前記第1の外部電極および第2の外部電極は、前記熱電変換部を挟んで反対側に設けられるとともに、前記第1の外部電極および第2の外部電極の中心線同士が略一致するように設けられることを特徴とする熱電変換モジュール。

IPC (3件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/10 ,  H02N 11/00

FI (3件)：

H01L35/32 A ,  H01L35/10 ,  H02N11/00 A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 熱電素子モジュール及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-283525   出願人：株式会社東芝