特許

J-GLOBAL ID：200903084472934800

洗浄方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 杉田 義博 ,  渡辺 悟
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-194434
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041262
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 金属配線を損傷することなく金属及び金属酸化物・水酸化物からなる汚染を除去する。また,廃液処理を容易にする。【解決手段】 水素ガスを溶かした水又は水素ガスを溶かした電解質水溶液を洗浄液とする。電解質水溶液として,電界イオン水又は水素ガスを溶かした炭酸水溶液を用いる。さらに,これらの洗浄液に酸素又は過酸化水素を添加する。金属及びその化合物の溶解速度の比を,洗浄液の酸化還元電位の調整により洗浄に最適に制御する。また中性又は弱酸の洗浄液でも効果的に洗浄できるから,廃液処理が不要である。

請求項（抜粋）：

水素ガスを溶かした水又は水素ガスを溶かした電解質水溶液を洗浄液とする洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 G ,  H01L 21/306 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-058528
  
• 半導体基板のウエット処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-056109   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-058528