特許

J-GLOBAL ID：200903084490352079

金属膜の選択的形成方法

発明者： 伊藤 仁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-172480
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022896
出願日： 1995年07月07日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜に形成された接続孔又はコンタクト孔の底部下地との良好な電気的接触を実現するとともに、選択性の高い金属の選択的形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 接続孔を有する絶縁膜が表面に形成され、接続孔を介して金属又は半導体が露出する半導体基板を、不活性ガス又は水素ガスのプラズマにさらす工程、前記半導体基板を、弗素を除くハロゲン原子を含むガスの雰囲気にさらす工程、及び前記接続孔を介して露出する金属又は半導体上に選択的に金属を堆積する工程を具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

接続孔を有する絶縁膜が表面に形成され、接続孔を介して金属又は半導体が露出する半導体基板を、不活性ガスのプラズマにさらす工程、前記半導体基板を、弗素を除くハロゲン原子を含むガスの雰囲気にさらす工程、及び前記接続孔を介して露出する金属又は半導体上に選択的に金属を堆積する工程を具備する金属膜の選択的形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/02 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/285

FI (6件)：

H01L 21/302 N ,  C23C 16/02 ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-132825
  
• 金配線の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-287215   出願人：日本電気株式会社
• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-140880   出願人：川崎製鉄株式会社