プラズマ処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287539
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100716
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理プロセスの種類に応じて適切なマルチポール磁場の状態を容易に制御、設定することができ、良好な処理を容易に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】磁場形成機構21の各磁石セグメント22が、図3(a)に示すように、各磁石セグメント22の磁極が真空チャンバ1側に向いた状態から、図3(b)、図3(c)に示すように、隣接する磁石セグメント22が同期して逆方向、従って一つおきの磁石セグメント22が同方向に回転し、真空チャンバ1内に形成される半導体ウエハWの周囲のマルチポール磁場の状態を制御できるように構成されている。

請求項（抜粋）：

被処理基板を収容する処理室と、前記処理室内に設けられ、前記被処理基板に所定のプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させる機構と、永久磁石からなる磁石セグメントを複数配列して構成され、前記処理室外に設けられて、前記処理室内の前記被処理基板の周囲に所定のマルチポール磁場を形成する磁場形成機構とを具備したプラズマ処理装置であって、前記磁石セグメントの相対的な位置を変更することにより、前記処理室内の前記被処理基板の周囲に形成されるマルチポール磁場の強度を制御可能に構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 L , H01L 21/302 B

Fターム (38件)：

5F004AA01 , 5F004BA07 , 5F004BA08 , 5F004BA09 , 5F004BB08 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB23 , 5F004BB24 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA04 , 5F004CA05 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F045AA08 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EB03 , 5F045EF05 , 5F045EH05 , 5F045EH13 , 5F045EH16 , 5F045EJ03

引用特許：

審査官引用 (1件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-342921 出願人：株式会社日立製作所

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