特許

J-GLOBAL ID：200903084530522860

窒化物半導体装置、エピタキシャル基板および窒化ガリウム系エピタキシャル膜を形成する方法

発明者： 橋本 信 ,  木山 誠 ,  田辺 達也
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-342605
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149985
出願日： 2005年11月28日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】ドナー濃度により該電子濃度を制御可能な高比抵抗の窒化ガリウム系半導体膜を含む窒化ガリウム系ショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】ショットキーバリアダイオード41では、窒化ガリウム系エピタキシャル層45は、導電性を有するIII族窒化物基板45上に設けられている。窒化ガリウム系エピタキシャル層45には、ドナードーパント元素が添加されている。窒化ガリウム系エピタキシャル層45は2×1016cm-3未満の炭素濃度を有している。窒化ガリウム系エピタキシャル層45は1×108cm-2未満の転位密度を有する。窒化ガリウム系エピタキシャル層45は、5×1016cm-3未満の電子キャリア濃度を有する。電子キャリア濃度は、窒化ガリウム系エピタキシャル層45に添加されるドナードーパントによって変更可能である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

III族窒化物支持基体と、 5×1016cm-3未満の電子キャリア濃度を有しており前記III族窒化物基板上に設けられた第1の窒化ガリウム系エピタキシャル層と を備え、 前記第1の窒化ガリウム系エピタキシャル層にはドナードーパントが添加されており、 前記第1の窒化ガリウム系エピタキシャル層は2×1016cm-3未満の炭素濃度を有しており、 前記第1の窒化ガリウム系エピタキシャル層は1×108cm-2未満の転位密度を有する、ことを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/201 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/207

FI (8件)：

H01L29/201 ,  H01L29/48 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L21/205 ,  H01L29/207

Fターム (25件)：

4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA60 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-183446   出願人：住友電気工業株式会社