特許
J-GLOBAL ID：200903084536859904

酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法

発明者：
美浦 徳子

美浦 徳子 について

, 
飯島 竜太

飯島 竜太 について


出願人/特許権者：
ブラザー工業株式会社

ブラザー工業株式会社 について


代理人 (2件)： 山本 尚 ,  白波瀬 景子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-156049
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302352
出願日： 2008年06月13日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】 良好な特性を有する酸化物薄膜トランジスタ、およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 酸化物半導体層9上面に積層するゲート絶縁層5を、有機絶縁体からなる下側の有機絶縁層51と、無機絶縁体からなる上側の無機絶縁層52とから構成した。また、無機絶縁層52を、パーヒドロポリシラザン溶液を用いた塗布法により形成した。酸化物半導体層9の上面には、酸化物半導体層9にダメージを与えることなく形成可能な有機絶縁層51のみが接触する構成としたため、酸化物半導体層9にダメージを与えることなく、ゲート絶縁層5を形成させることができる。また、塗布法を用いたことにより、大がかりな装置を用いることなく、簡単、且つ安価に、無機絶縁層52を形成することができる。これにより、性能の良い酸化物薄膜トランジスタを、簡単、且つ安価に得ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁層と、 前記絶縁層上面に互いに離間して設けられているソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隙の前記絶縁層の上面、前記ソース電極の上面、及び前記ドレイン電極の上面に連続して設けられている酸化物半導体層と、 少なくとも前記酸化物半導体層の上面に設けられている有機絶縁層と、 前記有機絶縁層の上面に設けられている無機絶縁層と を備えていることを特徴とする酸化物薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (6件)：
H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/312 M ,  H01L21/316 M
Fターム (42件)：
5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AH01 ,  5F058BD07 ,  5F058BD19 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72
引用特許：
出願人引用 (1件)

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