特許
J-GLOBAL ID：200903078660321793

トランジスタおよびその製造方法

発明者：
喜納 修

喜納 修 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-353107
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158147
出願日： 2005年12月07日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】本発明は、酸化物半導体をチャネル層に、有機物をゲート絶縁膜として用いた構成で実用に供するトランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基材上に、チャネル部を形成する半導体層と、前記チャネル部を介して対向して配置されたソース電極とドレイン電極と、前記半導体層の上にゲート絶縁膜、該絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備えた半導体装置において、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜の間に、前記ゲート絶縁膜が有機材料からなり、かつ、前記半導体層に化学吸着している部位を含む界面層を設けることにより解決した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材上に、チャネル部を形成する半導体活性層と、前記チャネル部を介して対向して配置されたソース電極とドレイン電極と、前記半導体層の上にゲート絶縁膜、該絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備えた半導体装置において、前記半導体活性層と前記ゲート絶縁膜の間に、前記ゲート絶縁膜が有機材料からなり、かつ、前記半導体活性層に化学吸着している部位を含む界面層を有することを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/312
FI (4件)：
H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617U ,  H01L21/312 C
Fターム (24件)：
5F058AD03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33
引用特許：
審査官引用 (6件)
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