半導体装置の配線層形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-245940
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216263
出願日： 1993年09月06日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】蒸着された段差塗布性及び/又は接触口の埋没を向上させるための半導体装置の配線層形成方法を提供する。【構成】半導体基板上に拡散防止膜や絶縁膜のような配線層の下支膜を形成した後、下支膜を水素プラズマや水素ラジカルに露出させ下支膜を水素処理し下支膜の表面部分を水素終端させる。下支膜と蒸着された金属層間の濡れ性が増加する。水素処理された下支膜上にアルミニウムやアルミニウム合金のような金属を蒸着する場合に、大きい粒子を有する金属層が形成される。【効果】蒸着された金属層の段差塗布性が向上され、金属粒子の移動度が増加する。高温で金属をスパッタリングしたり、低温で形成された金属を真空を破らず、熱処理する場合に、接触口への埋立が向上される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配線層の下支膜を形成し、前記下支膜の表面を水素処理し前記下支膜の表面部分を水素終端させた後、前記下支膜上に第1導電物質を蒸着し配線層を形成することを特徴とする半導体装置の配線層形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 , H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-079446
特開平2-288331
特開昭63-053949

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