半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280268
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129960
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】共振器の端面における窓構造を簡易に具現し得ると共に、高出力で端面劣化が無く安定動作するレーザ素子を歩留まり良く製造可能な半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】この半導体レーザ素子の製造方法における半導体結晶形成工程では、それ以前の電極形成工程によるウェハ状態でのp側コンタクト電極及びn側コンタクト電極の形成後にInGaAsの活性層よりも禁制帯幅の大きな半導体結晶を共振器における端面に窓構造としてのGaAs窓層26として形成する。ここでGaAs窓層26は各レーザストライプ28に区切られた形態の各溝部29に沿って形成され、この後に共振器における端面の半導体レーザ・バーに絶縁膜コーティング27が施されている。

請求項（抜粋）：

活性層とp側コンタクト電極及びn側コンタクト電極とを含むと共に、窓構造で形成された共振器における端面よりレーザ光が出射される半導体レーザ素子において、前記p側コンタクト電極及び前記n側コンタクト電極はウェハ状態で形成されており、前記共振器における端面には前記活性層よりも禁制帯幅の大きな半導体結晶が前記窓構造の窓層として形成されたことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-321292
特開平4-345079
特開平4-321292

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