特許
J-GLOBAL ID：200903084600754224
タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015615
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214728
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 安価な基板が使用可能な低温プラズマCVDプロセスのみを用いて結晶質シリコン系光電変換ユニットを含む光電変換装置を形成し、その低コスト化と高性能化の両立を図る。【解決手段】 タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置では、絶縁性表面を有する基板1上に、裏面電極10、第1と第2の光電変換ユニット11,12、および前面透明電極2がこの順序で積層され、第1と第2の光電変換ユニットの各々は300°C以下の下地温度の下でプラズマCVD法により順次堆積された半導体層である第1導電型層111,121と光電変換層112,122と逆導電型層113,123を含み、第1ユニットの光電変換層は結晶質を含むシリコン系薄膜からなり、第2ユニットの光電変換層は非晶質シリコンゲルマニウム薄膜からなり、第1ユニットの上面1Bは微細な凹凸を含むテクスチャ構造を有していることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
絶縁性表面を有する基板上において、金属薄膜を含む裏面電極、第1光電変換ユニット、第2光電変換ユニット、および透明導電性酸化膜を含む前面電極がこの順序で積層され、前記第1と第2の光電変換ユニットの各々は300°C以下の下地温度の下でプラズマCVD法により順次に堆積された半導体層である1導電型層と光電変換層と逆導電型層を含み、前記第1光電変換ユニットの光電変換層は結晶質を含むシリコン系薄膜からなり、前記第2光電変換ユニットの光電変換層は非晶質シリコンゲルマニウム薄膜からなり、前記第1光電変換ユニットの上面は微細な凹凸を含むテクスチャ構造を有することを特徴とするタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置。
FI (2件)：
H01L 31/04 Y
, H01L 31/04 W
