半導体レーザ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204570
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051065
出願日： 1996年08月02日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザチップにかかる応力を十分に抑え、製造が容易で、かつ放熱性の高い半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】レーザマウント2上に半導体レーザチップ1を設け、レーザマウント2に、開口が半導体レーザチップ1の反対側に位置するように凹部2aを設け、凹部2aに前記レーザマウント2の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する放熱体4を充填する。

請求項（抜粋）：

レーザマウント上に半導体レーザチップを有し、前記レーザマウントには、開口が前記半導体レーザチップの反対側に位置するように凹部が設けられ、前記凹部には、前記レーザマウントの熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する放熱体が充填されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-172787
特開平2-165686
特開平4-373155

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