特許
J-GLOBAL ID：200903084634083507
半導体多層膜および面発光型半導体レーザおよび受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248930
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074979
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 面発光型半導体レーザの多層膜反射鏡や受光素子の反射防止膜に用いる場合、より一層少ないペア数で高反射率の半導体多層膜反射鏡や低反射率の反射防止膜を形成できる。【解決手段】 半導体多層膜104は、GaAs基板101上に、AlAs低屈折率層102とInGaNAs高屈折率層103とが、1.5μmの光学波長の1/4の膜厚で、交互に形成されたものとなっている。このような半導体多層膜104の成長方法にはMOCVD法やMBE法が考えられ、また、このような半導体多層膜104は、屈折率差が大きいので、従来のInP基板上の材料よりも半分以下のペア数で、また、GaAs基板上のAlAs/GaAs系材料よりも2割以上少ないペア数で、高反射率(例えば99.9%)の半導体多層膜反射鏡として形成できる。
請求項（抜粋）：
高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層されて構成される半導体多層膜において、高屈折率層として、V族元素にN(窒素)を含んだIII-(Nx,V1-x)からなるIII-V族混晶半導体が用いられることを特徴とする半導体多層膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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