特許
J-GLOBAL ID：200903048130643270

面発光半導体レーザ、当該レーザを用いた光送受信モジュール及び当該レーザを用いた並列情報処理装置

発明者：
近藤 正彦

近藤 正彦 について

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西村 信治

西村 信治 について

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篠田 和典

篠田 和典 について

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魚見 和久

魚見 和久 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341120
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237942
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】少ない積層数で高反射率を得ることができる反射鏡を備えた新規な面発光半導体レーザを提供する。更に、実用的な長波長帯面発光半導体レーザを提供する。【解決手段】基板1にGaAs を用い、同基板と活性層4の間に形成した半導体多層膜反射鏡2の低屈折率層を構成する主たる元素をAl,In 及びPとし、同屈折率層を基板と格子整合させる。反射鏡の高屈折率層を構成する主たる元素をGa,In,N及びAs とする。基板にGaAs を用い、同基板上に形成した活性層を構成する主たる元素をGa,In,N及びAs とし、活性層4と基板1の間に基板と格子整合する半導体多層膜反射鏡2を配置する。【効果】光送受信モジュール(光インタコネクション装置)、並列情報処理装置及び光ファイバ通信システムなどの光応用システムに広く利用可能である。
請求項（抜粋）：
結晶基板上部に光を発生する活性層と、当該活性層から発生した光からレーザ光を得るために活性層の上部及び下部を上部反射鏡と基板側の下部反射鏡で挟んだ共振器とを有し、結晶基板面に垂直にレーザ光を放射する面発光半導体レーザにおいて、前記結晶基板は、GaAs 基板であり、少なくとも一方の反射鏡は、前記GaAs 基板に格子整合する低屈折率半導体層と前記GaAs 基板に格子整合する高屈折率半導体層とを交互に積層してなる半導体多層膜を含めて構成され、当該低屈折率半導体層は、主たる元素がアルミニウム、インジウム及び燐の材料からなることを特徴とする面発光半導体レーザ。
IPC (4件)：
H01S 3/18 ,  H01L 27/15 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02
FI (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 27/15 B ,  H04B 9/00 W
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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