特許
J-GLOBAL ID：200903084641824334
半導体装置の製造方法及び半導体装置の実装方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-321974
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163213
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】本発明は突起電極を有した半導体装置の製造方法及び実装方法に係り、突起電極内におけるボイドの発生を抑制すると共に、良好な実装を行なうことを課題とする。【解決手段】半導体素子にはんだバンプ1を形成する突起電極形成工程において、半導体素子2にはんだバンプ1となるはんだ部材を配設する配設工程と、はんだバンプ1を減圧雰囲気中で加熱し溶融する減圧加熱工程と、この減圧加熱工程が終了した後にはんだバンプ1を前記減圧加熱工程おける減圧雰囲気よりも加圧した加圧雰囲気中で加熱する加圧加熱工程と、この加圧加熱工程の終了後、前記加圧雰囲気を略維持しつつはんだバンプ1を冷却して凝固させる加圧冷却工程とを実施する。
請求項（抜粋）：
半導体素子に突起電極を形成する突起電極形成工程を含む半導体装置の製造方法において、前記突起電極形成工程は、前記半導体素子に前記突起電極となる部材を配設する配設工程と、前記突起電極を減圧雰囲気中で加熱し溶融する減圧加熱工程と、前記減圧加熱工程の終了後、前記突起電極を前記減圧加熱工程における減圧雰囲気よりも加圧した加圧雰囲気中で加熱する加圧加熱工程と、前記加圧加熱工程の終了後、前記加圧雰囲気を略維持しつつ前記突起電極を冷却して凝固させる加圧冷却工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 E
, H01L 21/92 604 F
