特許
J-GLOBAL ID：200903084642361192
ダイヤモンド状炭素膜の合成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
平山 一幸
, 海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-163300
公開番号（公開出願番号）：特開2004-010383
出願日： 2002年06月04日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】低コストで合成でき、任意形状の表面を有する部材にも均一な厚さで被覆することができるダイヤモンド状炭素膜の合成方法並びにp型及びn型の導電性を有するダイヤモンド状炭素膜の合成方法を提供する。【解決手段】合成装置の部材ホルダー5に部材3を配置し、有機液体10を満たし、N2ガスをバルブ8を介して導入して合成装置内の残留空気をN2ガスで置換し、電極4を介して部材3に電流を流して加熱する。部材3の表面から有機液体10のガスからなる気泡が発生すると共に、部材3の表面が気泡によって覆われる。有機液体10の温度を有機液体10の沸点以下に保つために水冷手段2を用いて冷却し、また、気相の有機液体10を凝縮手段7にて液体槽1に戻す。所望のダイヤモンド状炭素膜の厚さに応じた一定時間、合成装置を上記の状態に保つことにより、ダイヤモンド状炭素膜が部材3上に合成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
部材を、沸点以下の温度に保った有機液体中で加熱して、この部材上に合成することを特徴とする、ダイヤモンド状炭素膜の合成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
4G146AA05
, 4G146AB07
, 4G146AD02
, 4G146BA11
, 4G146BA12
, 4G146BA49
, 4G146BC02
